Piata generácia HEXFET MOSFET tranzistorov od International Rectifier využíva pokročilé techniky spracovania na dosiahnutie čo najnižšieho odporu vedenia na jednotku plochy kremíka. Táto výhoda v kombinácii s vysokou rýchlosťou spínania a robustným dizajnom zariadenia, ktorým sú HEXFET MOSFETy známe, poskytuje konštruktérovi mimoriadne efektívne zariadenie na použitie v širokej škále aplikácií. Balík TO-220 je široko preferovaný vo všetkých komerčných/priemyselných aplikáciách s úrovňami straty energie až do približne 50 wattov. Nízky tepelný odpor TO-220 a nízke náklady na balenie prispievajú k jeho širokému prijatiu v celom odvetví.

ID @ TC = 25 °C - Trvalý odberový prúd, VGS @ 10 V: 26 A

ID @ TC = 100 °C – Nepretržitý odberový prúd, VGS @ 10 V: 18 A

IDM – Pulzný odberový prúd: 100 A

PD @ TC = 25 °C – Rozptýlený výkon, 56 W

Činiteľ zníženia výkonu ako funkcia teploty: 0,37 W/°C

VGS - Napätie zdroja brány: ±20 V

EAS - Energia lavíny jedného impulzu: 110 mJ

IAR - Prúd lavíny: 16 A

EAR - Energia opakovanej lavíny: 5,6 mJ

dv/dt - Maximálna rýchlosť zmeny napätia na dióde v reverznom stave: 4,6 V/ns

TJ - Teplota spoja počas prevádzky: -55°C až +175°C

TSTG - Rozsah skladovacích teplôt : -55 °C až +175 °C

Teplota spájkovania, 10 sekúnd: 300 °C (1,6 mm od krytu)

Montáž, skrutka 6-32 alebo M3